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USB

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壓電晶體

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功率模塊

Features
■ IPM 35 A, 1200 V single phase IGBT including
control ICs for gate driving and free-wheeling
diodes
■ Short-circuit rugged IGBTs
■ VCE(sat) negative temperature coefficient
■ Active Miller clamp feature
■ Undervoltage lockout
■ Desaturation detection
■ Fault status output
■ Input compatible with pulse transformer or
optocoupler
■ DBC substrate leading to low thermal
resistance
■ Isolation rating of 2500 Vrms/min
■ 4.7 kΩ NTC for temperature control