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2014年中國半導體大基金成立，標志著本土IC產業邁出了追趕世界先進水準的步伐。在一系列IC項目之中，本土存儲業是重中之重。不論是民用的消費電子、汽車電子還是航天器、軍事武器，存儲器都是不可或缺的重要元件，因此將存儲器上升到戰略物資的高度絲毫不夸張。然而，存儲器技術長期把持在美日韓等發達強國手中，中國并沒有牢固的技術積累，所以在存儲器領域實現自主，是中國IC產業的第一大任務。

在中國大陸，已有三家廠商擔當本土存儲器崛起的重任，分別是有紫光國芯支持的長江存儲、剛挺近DRAM領域的兆易創新以及有臺廠提供技術支持的福建晉華。綜合看，這三家的主營領域涵蓋了DRAM、NAND和NOR FLASH等市場需求大的主要存儲器，日后發展壯大，我國存儲器實現自給自足大有希望。

長江存儲：攻克3D NAND的希望

長江存儲是本土存儲業的先鋒，其起源跟紫光有頗深淵源。時間撥回2015年，紫光向存儲器大廠美光發起230億美元的收購，之后又發起了38億美元的投資協議，不過這兩個投資相繼失敗。從外部引進技術的失敗使得本土存儲業必須走自主研發的道路，紫光因此收購了武漢新芯，并以這家公司為基礎，成立了現在的長江存儲。

長江存儲的NAND技術來自早先的飛索半導體（Spansion）。早在2015年，長江存儲還叫武漢新芯的時候，飛索半導體就與其結成合作關系，共同開發3D NAND。目前，長江存儲的最重任務是攻克并量產32層NAND，后續再研發64層芯片。盡管這樣的進度落后于三星、東芝等閃存大廠，但本土存儲業實現零的突破同樣具有很大的現實意義。

長江存儲的主要廠房位于武漢，該產業基地是由紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設，于2016年底開工，今年9月提前封頂。按計劃，該廠房將在2018年投入使用，可達到每月30萬片的產能。

現階段，長江存儲面臨的最大難題就是3D NAND的技術研發。紫光先前從外部引進技術的戰略失敗，必須走自主研發的道路。對從業者和投資方來說，自主研發的風險大，投資回報周期長，必須要有清醒認識，持續不斷投資，只有這樣才有望打破存儲器的外部壟斷。

兆易創新：NOR老牌 現又投入DRAM

長期以來，兆易創新是以NOR FLASH供應商的身份為人所熟知。隨著OLED手機興起帶來的巨大需求以及美光、賽普拉斯相繼推出NOR閃存市場，兆易創新有了更大的機會。不過，現在兆易創新已不滿足于狹小的NOR閃存市場，而是挺進了機會更大、對手也更強的新領域，那就是DRAM內存。

最近，兆易創新宣布與和合肥市產業投資控股集團共同研發19nm DRAM，投資總金額180億人民幣。此外，兆易創新還將與合肥睿力的12寸晶圓廠相整合，打造完備的產業鏈，跟紫光領投的長江存儲以及與聯電合作的福建晉華相競爭。

實際上，兆易創新早就有進軍DRAM業的打算，此前層試圖收購美國存儲器廠商ISSI，但在最后關頭交易失敗，因此與合肥方面的合作，是兆易創新從外部引進技術未果之后所選的途徑。至于本次合作的另一方：合肥市產業投資控股集團，這家公司的旗下本就有一個DRAM項目，即合肥長鑫。因此，兆易創新與合肥方面的合作，可看做是本土DRAM產業一次整合。兩家公司集合力量，更有利于國產DRAM盡早出爐。

據了解，兆易創新的目標是在2018年結束之前研發出19nm的DRAM晶圓，其實這個目標真的挺難，因為三星等廠商的DRAM同樣在1x nm的節點遇到困難，到現在良率也不高，也正是因此才引發了內存缺貨漲價的行情。兆易創新定的目標如此豪邁，固然是反映了本土IC實現自給自足的強烈愿望，但更重要的是充分考量技術風險，持續追加投資，盡早拿出可以實際應用的產品。

福建晉華：有臺廠技術支持 產品“接地氣”

去年7月份，福建晉華與臺灣代工廠聯華電子（聯電）的合作DRAM項目正式開工建設，先期投資370億人民幣建設廠房及配套設施，預計2018年8月份試產，達到每月6萬片的產能。在廠房建設的同時，聯電方面也在臺灣南科廠組建了100多人的研發團隊，專攻DRAM相關工藝并建設小型產線試產。

福建晉華項目計劃生產的產品是32nm利基型DRAM。所謂利基型，就是用于機頂盒、路由器等電子設備的DRAM，相比用于PC的標準型和用于手機的移動式DRAM，利基型DRAM的研發門檻較低，市場較小，面對的競爭也更平和些。晉華項目以利基型DRAM作為切入點，既相對容易，又契合市場，同時還可為日后進軍標準型DRAM打下基礎，是很符合實際的戰略選擇。

對晉華項目的技術追根溯源，其來源是聯電的LPD部門，該部早期主要研發SRAM、SDRAM等內存芯片，具有深厚技術積淀，曾占有舉足輕重的訂單份額。

對聯電而言，借助大陸的資金優勢保留住臺灣存儲技術的火種是再好不過的事情，不過事情卻絕非一帆風順。

今年9月，臺灣美光對兩名跳槽至聯電的員工及聯電公司告上法庭，指控這兩名員工將重要技術資料攜帶至聯電，且這些資料被確定會在晉華項目中派上用場。向上追溯，美光在2016年先后收購華亞科和瑞晶，擴大在臺DRAM布局，而在整并過程中，不少技術人員紛紛被大陸方面高薪挖角。值得一提的是，合肥長鑫挖人最多，其重要技術來源也正是這些員工。人員輕易被大陸方面挖走使美光震怒，起訴聯電自然也是為大陸廠商挖角導致的技術流出“撒氣”，另外也要通過聯電震懾一下晉華項目，如此一來，晉華與聯電的合作就會多一絲不確定性。

但不論如何，相比長江存儲和兆易創新，福建晉華依然是最有可能先出成果的項目。究其原因，晉華以利基型DRAM起步，有外部技術的支持，門檻相對低且產品有市場。現在最關鍵的就是要保持住與聯電的合作關系，爭取最快的時間出成果。

存儲器自給自足 需認清挑戰

民生、國防各領域的重要需求，存儲器戰略物資的地位毋庸置疑，現在本土存儲業紛紛布局，有望打破技術壟斷之勢。當前，長江存儲、兆易創新和福建晉華的版圖分布于DRAM、NAND、NOR三大重要要存儲器，相信不遠的將來，本土存儲器的成果一定能夠呈現在大眾眼前。不過，目前仍有若干挑戰需要重視。

首先，掌握核心技術的發達國家對我國嚴加防范，且愈加嚴格。目前的情況，中資再想展開國際收購與技術合作難上加難，因此技術上只能堅定自主路線。第二，我國尚缺發展存儲也所需的人才，從美光起訴聯電一案足以看出，國際大廠已經對人才進入大陸嚴加防范，因此專業的技術人才也只能自己培養，而這一切既要時間又要金錢。第三，本土存儲業的投資人從業者必須貫徹始終、堅持不懈，現在說爭創一流水準還不實際，但一定要盡可能縮小與國際大廠之間的差距。

轉載自ICNET網。