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產(chǎn)品介紹 Complementary Darlington Silicon Power Transistors are designed
for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications. Features • High dc Current Gain @ 10 Adc − hFE = 400 Min (All Types) • Collector−Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) = 250 Vdc (Min) − MJ11022, 21 • Low Collector−Emitter Saturation VCE(sat) = 1.0 V (Typ) @ IC = 5.0 A = 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A • 100% SOA Tested @ VCE = 44 V IC = 4.0 A t = 250 ms • Pb−Free Packages are Available* |
