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BFG480W

FEATURES
 High power gain
 High efficiency
 Low noise figure
 High transition frequency
 Emitter is thermal lead
 Low feedback capacitance
 Linear and non-linear operation.
APPLICATIONS
 RF front end with high linearity system demands
(CDMA)
 Common emitter class AB driver.
DESCRIPTION
NPN double polysilicon wideband transistor with buried
layer for low voltage applications in a 4-pin dual-emitter
SOT343R plastic package.